• 头条一种具有极低电感的多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块封装方法
    2026-03-19 作者：张彤宇 等  |  来源：《电工技术学报》  |  点击率：
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    导语多芯片碳化硅功率模块具有理论上极其优异的特性，然而传统功率模块的结构与布局引入了较大的寄生电感，产生较大的开关过冲与振荡，进而难以体现其理论上的优越性。西安交通大学研究团队在《电工技术学报》2025年第16期上撰文，提出一种具有极低电感的多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块封装方法，将功率模块内部键合铝线替换成Clip互连，利用电流反向耦合效应降低功率模块内部寄生电感。同时，利用电容直连结构消除外部回路寄生电感，与传统布局功率模块相比电感降低了44.6%。研究人员提出的封装方法具有极低的寄生电感与电压过冲，有利于减小碳化硅器件使用中的电压过冲与损耗，提高变换器的效率。
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